на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.46 грн |
| 10+ | 358.72 грн |
| 50+ | 264.11 грн |
| 250+ | 214.82 грн |
| 500+ | 200.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA5N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA5N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA5N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFA5N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Power dissipation: 250W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 33.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFA5N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFA5N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Power dissipation: 250W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 33.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |