IXFA6N120P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 740.24 грн |
| 50+ | 402.03 грн |
| 100+ | 387.20 грн |
| 500+ | 334.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA6N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA6N120P за ціною від 475.65 грн до 783.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA6N120P | Виробник : IXYS |
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFA6N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 2.75Ω Drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Case: TO263 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFA6N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 2.75Ω Drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Case: TO263 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HiPerFET™; Polar™ |
товару немає в наявності |