Продукція > IXYS > IXFA76N15T2

IXFA76N15T2 IXYS

DS100176B(IXFA-FP-FH76N15T2).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA76N15T2 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 76A, Power dissipation: 350W, Case: TO263, On-state resistance: 22mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 97nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 69ns.

Інші пропозиції IXFA76N15T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA76N15T2 IXFA76N15T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_76N15T2_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 150V 76A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 IXFA76N15T2 IXYS IXFA(H,P)76N15T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 69ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_76N15T2_Datasheet.PDF
IXFA76N15T2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 150V 76A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA76N15T2 IXFA(H,P)76N15T2.pdf
IXFA76N15T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 69ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.