Продукція > IXYS > IXFA7N100P-TRL
IXFA7N100P-TRL

IXFA7N100P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-7n100p-datasheet?assetguid=2a6e65f4-034a-4ea8-af00-941e933d8061
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA7N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 30V, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 1.9Ω, Reverse recovery time: 300ns, Power dissipation: 300W, Gate charge: 47nC, Technology: HiPerFET™, Drain current: 7A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

Інші пропозиції IXFA7N100P-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA7N100P-TRL IXFA7N100P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_7N100P_Datasheet.PDF MOSFETs IXFA7N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRL IXFA7N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-7n100p-datasheet?assetguid=2a6e65f4-034a-4ea8-af00-941e933d8061 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.9Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_7N100P_Datasheet.PDF
IXFA7N100P-TRL
Виробник: IXYS
MOSFETs IXFA7N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N100P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixf-7n100p-datasheet?assetguid=2a6e65f4-034a-4ea8-af00-941e933d8061
IXFA7N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.9Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.