Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA7N100P-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 7A, Power dissipation: 300W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 47nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 300ns.
Інші пропозиції IXFA7N100P-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFA7N100P-TRL | IXYS |
MOSFETs IXFA7N100P TRL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IXFA7N100P-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFA7N100P-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs IXFA7N100P TRL
MOSFETs IXFA7N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFA7N100P-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 7A; 300W; D2PAK,TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.





