IXFA7N100P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Kind of package: tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 471.22 грн |
| 4+ | 285.33 грн |
| 5+ | 284.54 грн |
| 10+ | 269.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA7N100P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFA7N100P за ціною від 252.35 грн до 565.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA7N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFA7N100P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFA7N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 7 Amps 1000V |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFA7N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFA7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |