Продукція > LITTELFUSE > IXFA80N25X3
IXFA80N25X3

IXFA80N25X3 Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+641.46 грн
25+613.91 грн
50+590.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA80N25X3 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFA80N25X3 за ціною від 329.29 грн до 802.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 Littelfuse Inc. IXFx80N25X3.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.82 грн
50+418.43 грн
100+385.33 грн
500+329.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+777.09 грн
50+529.95 грн
100+521.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.33 грн
50+540.34 грн
100+531.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+802.60 грн
20+722.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFA80N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 LITTELFUSE IXYS-S-A0005444653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFx80N25X3.pdf
IXFA80N25X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+709.82 грн
50+418.43 грн
100+385.33 грн
500+329.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 media.pdf
IXFA80N25X3
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+777.09 грн
50+529.95 грн
100+521.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 media.pdf
IXFA80N25X3
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+792.33 грн
50+540.34 грн
100+531.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 media.pdf
IXFA80N25X3
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+802.60 грн
20+722.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFA80N25X3_Datasheet.PDF
IXFA80N25X3
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXYS-S-A0005444653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFA80N25X3
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.