IXFA80N25X3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 603.98 грн |
| 3+ | 510.01 грн |
| 5+ | 493.91 грн |
| 10+ | 473.58 грн |
| 25+ | 448.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA80N25X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFA80N25X3 за ціною від 360.27 грн до 906.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFA80N25X3 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA80N25X3 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA80N25X3 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA80N25X3 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA80N25X3 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA80N25X3 | IXYS |
MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET |
на замовлення 494 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFA80N25X3 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 662.89 грн |
| 25+ | 634.42 грн |
| 50+ | 610.25 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 803.05 грн |
| 50+ | 547.65 грн |
| 100+ | 538.59 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 818.80 грн |
| 50+ | 558.39 грн |
| 100+ | 549.15 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 829.41 грн |
| 20+ | 746.20 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 882.06 грн |
| 10+ | 590.00 грн |
| 50+ | 479.03 грн |
| 100+ | 416.10 грн |
| 500+ | 360.27 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 494 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 906.52 грн |
| 10+ | 525.78 грн |
| 100+ | 442.19 грн |
| IXFA80N25X3 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






