IXFA80N25X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 537.87 грн |
| 3+ | 378.06 грн |
| 6+ | 357.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA80N25X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFA80N25X3 за ціною від 428.45 грн до 645.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA80N25X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFA80N25X3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 80A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFA80N25X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
 |
IXFA80N25X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |