Продукція > IXYS > IXFA90N20X3
IXFA90N20X3

IXFA90N20X3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB797A284B78BF&compId=IXFA90N20X3.pdf?ci_sign=0f169ea34732fb9be2468462ed15b96fedff3046 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.96 грн
3+389.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFA90N20X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFA90N20X3 за ціною від 485.85 грн до 536.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FB797A284B78BF&compId=IXFA90N20X3.pdf?ci_sign=0f169ea34732fb9be2468462ed15b96fedff3046 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC186ADB6078BF&compId=200VProductBrief.pdf?ci_sign=52b6588eb58e96179c68704188c80a5780ab2a1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.35 грн
3+485.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 Виробник : Littelfuse r.aspxphttps3a2f2fixapps.ixys.fdatasheet2fds100802c28ixfa.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixfa90n20x3-datasheet?assetguid=931087c8-e197-4323-a05d-f63953bc30e1 Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 Виробник : IXYS media-3321767.pdf MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.