IXFB100N50P LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2343.14 грн |
| 5+ | 2143.37 грн |
| 10+ | 1942.74 грн |
| 50+ | 1747.38 грн |
| 100+ | 1560.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB100N50P LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFB100N50P за ціною від 1565.80 грн до 2496.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB100N50P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFB100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFB100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFB100N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFB100N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™ Mounting: THT Case: PLUS264™ Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 240nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFB100N50P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFB100N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™ Mounting: THT Case: PLUS264™ Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 240nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |