| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2190.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB110N60P3 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1890W, Case: PLUS264™, Mounting: THT, Gate charge: 254nC, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 56mΩ, Reverse recovery time: 250ns, Polarisation: unipolar, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Drain current: 110A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V.
Інші пропозиції IXFB110N60P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB110N60P3 | IXYS |
 MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFB110N60P3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)