
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1976.93 грн |
10+ | 1588.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB132N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 1890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB132N50P3 за ціною від 1272.93 грн до 1992.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 1890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 Код товару: 94706
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
||||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 132A Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 267nC Reverse recovery time: 250ns Power dissipation: 1890W Technology: HiPerFET™; Polar3™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 132A Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 267nC Reverse recovery time: 250ns Power dissipation: 1890W Technology: HiPerFET™; Polar3™ |
товару немає в наявності |