на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1732.05 грн |
| 10+ | 1517.1 грн |
| 25+ | 1230.21 грн |
| 50+ | 1191.68 грн |
| 100+ | 1153.15 грн |
| 250+ | 1133.89 грн |
| 500+ | 1062.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB132N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 1890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB132N50P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB132N50P3 Код товару: 94706 |
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
||
 |
IXFB132N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 132A Power dissipation: 1890W Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 267nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 1890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFB132N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 132A Power dissipation: 1890W Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 267nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |