Продукція > IXYS > IXFB150N65X2
IXFB150N65X2

IXFB150N65X2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2054.48 грн
2+1803.98 грн
10+1772.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB150N65X2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFB150N65X2 за ціною від 1587.52 грн до 2965.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : IXYS media-3322674.pdf MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2308.34 грн
10+2175.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2309.25 грн
25+1768.35 грн
100+1587.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2465.38 грн
2+2248.03 грн
10+2127.04 грн
25+2080.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007910624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2489.59 грн
5+2234.79 грн
10+1979.14 грн
50+1781.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2687.43 грн
10+2463.20 грн
25+2151.15 грн
100+1894.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2965.00 грн
5+2879.39 грн
10+2639.15 грн
25+2304.81 грн
100+2029.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixfb150n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.