на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1822.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB150N65X2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFB150N65X2 за ціною від 1394.34 грн до 3107.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56kW Case: PLUS264™ Mounting: THT Gate charge: 355nC Kind of package: tube Reverse recovery time: 260ns On-state resistance: 17mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 150A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 1560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56kW Bauform - Transistor: PLUS264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFB150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFB150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |