IXFB150N65X2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 150A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB150N65X2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFB150N65X2 за ціною від 1413.05 грн до 3136.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2 |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56kW Bauform - Transistor: PLUS264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 1560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFB150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFB150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFB150N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXFB150N65X2 |
MOSFET N-Channel, Id=150A, Vdss=650V, TO-264-3 (PLUS264) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |