Продукція > LITTELFUSE > IXFB150N65X2
IXFB150N65X2

IXFB150N65X2 Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2056.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB150N65X2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFB150N65X2 за ціною від 1651.84 грн до 3667.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2056.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2128.13 грн
25+1998.95 грн
100+1978.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2128.13 грн
25+1998.95 грн
100+1978.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2166.17 грн
5+1876.30 грн
10+1829.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfb150n65x2-datasheet?assetguid=b8b62745-2f0f-4cd8-9094-0ecae8e86cbd Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2750.15 грн
25+1790.87 грн
100+1651.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3667.13 грн
5+3421.60 грн
10+3334.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007910624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 media.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2056.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 media.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2128.13 грн
25+1998.95 грн
100+1978.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 media.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2128.13 грн
25+1998.95 грн
100+1978.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2166.17 грн
5+1876.30 грн
10+1829.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfb150n65x2-datasheet?assetguid=b8b62745-2f0f-4cd8-9094-0ecae8e86cbd
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2750.15 грн
25+1790.87 грн
100+1651.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 media.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3667.13 грн
5+3421.60 грн
10+3334.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 LFSI-S-A0007910624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB150N65X2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.