Продукція > IXYS > IXFB210N20P
IXFB210N20P

IXFB210N20P IXYS

DS100018AIXFB210N20P.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2316.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB210N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PLUS264™, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V.

Інші пропозиції IXFB210N20P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB210N20P_Datasheet.PDF MOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS IXFB210N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB210N20P_Datasheet.PDF
IXFB210N20P
Виробник: IXYS
MOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N20P IXFB210N20P.pdf
IXFB210N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.