Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFB210N30P3
IXFB210N30P3

IXFB210N30P3 Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2202.80 грн
25+1825.95 грн
100+1598.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB210N30P3 Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFB210N30P3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB210N30P3_Datasheet.PDF MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB210N30P3_Datasheet.PDF
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.