Продукція > IXYS > IXFB210N30P3
IXFB210N30P3

IXFB210N30P3 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixfb210n30p3-datasheet?assetguid=f689f21e-3315-4cce-a5b0-2828d97d93be
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2502.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB210N30P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFB210N30P3 за ціною від 1968.84 грн до 2711.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB210N30P3_Datasheet.PDF MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 345 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2711.51 грн
10+1968.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB210N30P3_Datasheet.PDF
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 345 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2711.51 грн
10+1968.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB210N30P3 LFSI-S-A0009972189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFB210N30P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.