IXFB300N10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 300A
Gate charge: 279nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 1.5kW
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2186.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB300N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB300N10P за ціною від 1600.77 грн до 2835.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB300N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFB300N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™ Case: PLUS264™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; Polar™ Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 300A Gate charge: 279nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 1.5kW Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFB300N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFB300N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFB300N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |