IXFB300N10P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2747.71 грн |
| 25+ | 1789.82 грн |
| 50+ | 1679.67 грн |
| 100+ | 1549.81 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB300N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PLUS264™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFB300N10P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB300N10P | IXYS |
MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFB300N10P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 279nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFB300N10P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFB300N10P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
MOSFETs POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFB300N10P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFB300N10P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.