Продукція > IXYS > IXFB300N10P
IXFB300N10P

IXFB300N10P IXYS


IXFB300N10P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1821.38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB300N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFB300N10P за ціною від 1843.95 грн до 2501.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFB300N10P IXFB300N10P Виробник : IXYS IXFB300N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2185.66 грн
2+ 1993.21 грн
IXFB300N10P IXFB300N10P Виробник : IXYS ixys_s_a0008597272_1-2272974.pdf MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2501.77 грн
10+ 2274.86 грн
100+ 1843.95 грн
IXFB300N10P IXFB300N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb300n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB300N10P IXFB300N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb300n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB300N10P IXFB300N10P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb300n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній