на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4252.34 грн |
| 10+ | 3912.39 грн |
| 25+ | 3258.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB40N110Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1560W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB40N110Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFB40N110Q3 | Виробник : IXYS | IXFB40N110Q3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXFB40N110Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |