Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFB44N100P

IXFB44N100P

littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84
Код товару: 199488
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFB44N100P за ціною від 1526.87 грн до 3723.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2229.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84 Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2579.98 грн
25+1672.10 грн
100+1526.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFB44N100P_Datasheet.pdf MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2686.20 грн
10+1965.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR 2944611.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3170.28 грн
5+2866.71 грн
10+2504.88 грн
50+1989.22 грн
100+1799.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P Ixys Corporation ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3723.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P.pdf
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2229.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P littelfuse-discrete-mosfets-ixfb44n100p-datasheet?assetguid=84609b16-c63a-4abc-9908-c4837d35df84
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2579.98 грн
25+1672.10 грн
100+1526.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFB44N100P_Datasheet.pdf
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2686.20 грн
10+1965.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P 2944611.pdf
IXFB44N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3170.28 грн
5+2866.71 грн
10+2504.88 грн
50+1989.22 грн
100+1799.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf
IXFB44N100P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+3723.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Термопара P3408B
Код товару: 119515
2 Додати до обраних Обраний товар
Термопара P3408B
Виробник: Peakmeter
Інструмент та прилади > Аксесуари до інструменту та обладнання
Тип: Пробники температури
Опис: Термопара типу "K"; довжина 1000мм, температура -40 млрд 260 ° С
у наявності: 18 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
КількістьЦіна
1+85.00 грн
10+73.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Код товару: 104948
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1812
у наявності: 302 шт
4 шт - склад
152 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
62 шт - РАДІОМАГ-Харків
67 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
2+14.00 грн
10+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Флакон для флюсу MS-035, упаковка 2шт
Код товару: 60087
4 Додати до обраних Обраний товар
Флакон для флюсу MS-035, упаковка 2шт
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Різне для пайки (платформи, тримачі та ін.)
Категорія: Тара
Опис: Дозволяє точно дозувати флюс через голку. 2 шт в комплекті
у наявності: 45 пара
29 пара - склад
5 пара - РАДІОМАГ-Київ
2 пара - РАДІОМАГ-Харків
9 пара - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+80.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UCC25600DR
Код товару: 41492
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fucc25600
UCC25600DR
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: 8-Pin High-Performance Resonant Mode Controller 8-SOIC -40 to 12
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+69.50 грн
10+62.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31676
7 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
у наявності: 1965 шт
1816 шт - склад
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10030 шт
30 шт - очікується
10000 шт - очікується
КількістьЦіна
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.