Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFB44N100P
IXFB44N100P

IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR

2944611.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2284.16 грн
5+2150.30 грн
10+2016.44 грн
50+1747.32 грн
100+1498.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB44N100P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IXFB44N100P за ціною від 1681.51 грн до 2626.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFB44N100P IXFB44N100P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2300.42 грн
25+1801.91 грн
100+1681.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P Виробник : IXYS media-3321539.pdf MOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2525.38 грн
25+1847.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2626.00 грн
25+2427.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P Виробник : IXYS IXFB44N100P THT N channel transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1980.87 грн
2+1872.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P
Код товару: 199488
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P Виробник : Littelfuse ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P Виробник : Littelfuse ower-semiconductor-discrete-mosfet-ixfb44n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXFB44N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.