Технічний опис IXFB50N80Q2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB50N80Q2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFB50N80Q2 | Виробник : IXYS |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IXFB50N80Q2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFB50N80Q2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFB50N80Q2 | Виробник : IXYS |
MOSFET 50 Amps 800V |
товар відсутній |