IXFB60N80P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1870.36 грн |
| 2+ | 1642.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB60N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB60N80P за ціною від 1261.61 грн до 2289.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFB60N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 60A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 250nC Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFB60N80P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 60 Amps 800V 0.14 Rds |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFB60N80P Код товару: 154209
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |