IXFB60N80P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1883.32 грн |
| 25+ | 1503.49 грн |
| 100+ | 1409.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB60N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB60N80P за ціною від 1256.78 грн до 2044.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB60N80P | Виробник : IXYS |
MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds |
на замовлення 75 шт: термін постачання 764-773 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXFB60N80P Код товару: 154209 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFB60N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFB60N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 60A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFB60N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 60A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |