Продукція > IXYS > IXFB82N60P

IXFB82N60P IXYS


IXFB82N60P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1899.73 грн
2+1667.91 грн
5+1667.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB82N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFB82N60P за ціною від 1443.15 грн до 3048.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS f999592646864fddb85e03c044866a8b.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2622.40 грн
25+1694.32 грн
50+1587.35 грн
100+1443.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfb82n60pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3048.19 грн
25+3004.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P f999592646864fddb85e03c044866a8b.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2622.40 грн
25+1694.32 грн
50+1587.35 грн
100+1443.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfb82n60pdatasheet.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3048.19 грн
25+3004.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.