Продукція > IXYS > IXFB82N60P
IXFB82N60P

IXFB82N60P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1803.10 грн
2+1582.84 грн
25+1546.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFB82N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFB82N60P за ціною від 1324.18 грн до 2577.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFB82N60P IXFB82N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED483D4DA614A18&compId=IXFB82N60P.pdf?ci_sign=dd1a9bcc358e003653cce67b74f6b719913560a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2163.72 грн
2+1972.47 грн
25+1855.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2170.97 грн
25+1389.62 грн
100+1324.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2577.01 грн
25+2539.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P Виробник : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfb82n60pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb82n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P Виробник : IXYS media-3320726.pdf MOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.