IXFB82N60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1829.71 грн |
| 2+ | 1607.18 грн |
| 5+ | 1606.39 грн |
| 25+ | 1579.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB82N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB82N60P за ціною від 1311.11 грн до 2677.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB82N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFB82N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 82A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFB82N60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFB82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFB82N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFB82N60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds |
товару немає в наявності |