IXFB90N85X IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2923.23 грн |
| 10+ | 2626.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB90N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1785W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB90N85X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFB90N85X | Виробник : IXYS |
IXFB90N85X THT N channel transistors |
товар відсутній |
||
 |
IXFB90N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFB90N85X | Виробник : IXYS |
MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class |
товар відсутній |