Продукція > IXYS > IXFE55N50
IXFE55N50

IXFE55N50 IXYS


DS98904(IXFE50N50-IXFE55N50).pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFE55N50 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFE55N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFE55N50 IXFE55N50 Виробник : IXYS ixys_98904-1547470.pdf Discrete Semiconductor Modules 52 Amps 500V 0.08 Rds
товар відсутній