на замовлення 576 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.5 грн |
| 10+ | 553.06 грн |
| 30+ | 383.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH10N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 380W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH10N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH10N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXFH10N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXFH10N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3 Technology: HiPerFET™; Polar™ Mounting: THT Reverse recovery time: 300ns Case: TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFH10N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFH10N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3 Technology: HiPerFET™; Polar™ Mounting: THT Reverse recovery time: 300ns Case: TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |