Продукція > LITTELFUSE > IXFH10N100P
IXFH10N100P

IXFH10N100P Littelfuse

screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh10n100p-datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+457.49 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH10N100P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IXFH10N100P за ціною від 244.30 грн до 805.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS IXFH10N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+584.35 грн
5+449.50 грн
10+399.55 грн
30+377.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.03 грн
30+342.30 грн
120+289.39 грн
510+244.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH10N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 1000V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+762.21 грн
10+444.81 грн
120+340.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Ixys Corporation screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh10n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+786.32 грн
21+692.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+805.70 грн
5+699.04 грн
10+591.56 грн
50+450.26 грн
100+388.90 грн
250+362.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P.pdf
IXFH10N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 380W
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+584.35 грн
5+449.50 грн
10+399.55 грн
30+377.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4
IXFH10N100P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+606.03 грн
30+342.30 грн
120+289.39 грн
510+244.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH10N100P_Datasheet.PDF
IXFH10N100P
Виробник: IXYS
MOSFETs 10 Amps 1000V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+762.21 грн
10+444.81 грн
120+340.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh10n100p-datasheet.pdf
IXFH10N100P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+786.32 грн
21+692.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4
IXFH10N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+805.70 грн
5+699.04 грн
10+591.56 грн
50+450.26 грн
100+388.90 грн
250+362.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.