
IXFH10N100P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 524.06 грн |
3+ | 376.27 грн |
7+ | 355.58 грн |
120+ | 341.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH10N100P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH10N100P за ціною від 268.53 грн до 637.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH10N100P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH10N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH10N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 335 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH10N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH10N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFH10N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |