Продукція > IXYS > IXFH10N100P
IXFH10N100P

IXFH10N100P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECCF1314CB18BF&compId=IXFH10N100P.pdf?ci_sign=7f7b7c35add8447660ce7a497e76d475f7220bfa Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.17 грн
3+390.63 грн
7+369.11 грн
120+355.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH10N100P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH10N100P за ціною від 265.24 грн до 654.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.13 грн
30+348.96 грн
120+299.11 грн
510+265.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+604.40 грн
5+543.45 грн
10+482.49 грн
50+424.91 грн
100+370.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : IXYS media-3323794.pdf MOSFETs 10 Amps 1000V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.51 грн
10+541.27 грн
30+345.16 грн
120+321.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECCF1314CB18BF&compId=IXFH10N100P.pdf?ci_sign=7f7b7c35add8447660ce7a497e76d475f7220bfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.20 грн
3+486.79 грн
7+442.93 грн
120+426.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.