Продукція > IXYS > IXFH10N100P
IXFH10N100P

IXFH10N100P IXYS

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.93 грн
30+319.06 грн
120+310.50 грн
510+265.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH10N100P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IXFH10N100P за ціною від 314.99 грн до 708.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH10N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 1000V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.24 грн
10+377.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+645.52 грн
5+522.73 грн
10+399.94 грн
50+356.71 грн
100+314.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 IXFH10N100P THT N channel transistors
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+708.31 грн
3+478.87 грн
7+453.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.