Продукція > IXYS > IXFH10N80P
IXFH10N80P

IXFH10N80P IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.61 грн
30+298.81 грн
60+272.66 грн
120+235.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH10N80P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IXFH10N80P за ціною від 235.49 грн до 582.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+576.81 грн
4+270.69 грн
5+269.87 грн
10+255.84 грн
120+251.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 276 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+582.74 грн
10+302.77 грн
120+237.68 грн
510+235.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+576.81 грн
4+270.69 грн
5+269.87 грн
10+255.84 грн
120+251.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 276 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+582.74 грн
10+302.77 грн
120+237.68 грн
510+235.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1
IXFH10N80P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.