Продукція > IXYS > IXFH110N10P
IXFH110N10P

IXFH110N10P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.37 грн
3+337.28 грн
8+318.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH110N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH110N10P за ціною від 368.20 грн до 703.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.44 грн
3+420.31 грн
8+382.25 грн
510+368.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.73 грн
30+387.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : IXYS media-3323707.pdf MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+703.05 грн
30+442.18 грн
510+377.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.