IXFH110N10P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 450.85 грн |
3+ | 299.73 грн |
8+ | 283.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH110N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH110N10P за ціною від 339.65 грн до 556.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH110N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFH110N10P | Виробник : IXYS | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFH110N10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||
IXFH110N10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||
IXFH110N10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V |
товар відсутній |