Продукція > IXYS > IXFH110N10P
IXFH110N10P

IXFH110N10P IXYS

IXFH110N10P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.14 грн
5+433.57 грн
10+394.38 грн
20+353.52 грн
30+329.34 грн
120+327.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH110N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH110N10P за ціною від 393.21 грн до 766.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+652.96 грн
5+540.29 грн
10+473.25 грн
20+424.23 грн
30+395.21 грн
120+393.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : Ixys Corporation fusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh110n10pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+766.59 грн
19+698.51 грн
21+625.38 грн
30+553.44 грн
120+494.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : Littelfuse fusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh110n10pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh110n10p-datasheet?assetguid=eea29d76-c01c-4f16-9d4c-b0769d445f2f Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH110N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.