IXFH110N10P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 480W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 561.43 грн |
| 5+ | 420.03 грн |
| 10+ | 342.61 грн |
| 20+ | 323.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH110N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 110, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH110N10P за ціною від 334.30 грн до 849.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH110N10P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH110N10P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH110N10P | IXYS |
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds |
на замовлення 3225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH110N10P |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 692.76 грн |
| 30+ | 394.26 грн |
| 120+ | 334.30 грн |
| IXFH110N10P |
|
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 849.93 грн |
| 19+ | 774.45 грн |
| 21+ | 693.36 грн |
| 30+ | 613.61 грн |
| 120+ | 548.34 грн |
| IXFH110N10P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)