Продукція > IXYS > IXFH110N15T2
IXFH110N15T2

IXFH110N15T2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.51 грн
3+402.46 грн
7+381.23 грн
10+375.73 грн
30+367.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH110N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH110N15T2 за ціною від 440.50 грн до 595.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC035820&compId=IXFH110N15T2.pdf?ci_sign=72224343f620ffa61176fabd9afc9a1c50cf9d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.01 грн
3+501.52 грн
7+457.48 грн
10+450.88 грн
30+440.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n15t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+595.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n15t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXFH110N15T2 Виробник : IXYS media-3320128.pdf MOSFET 110 Amps 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.