Продукція > IXYS > IXFH120N20P
IXFH120N20P

IXFH120N20P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+904.43 грн
2+628.11 грн
5+593.61 грн
30+570.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH120N20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції IXFH120N20P за ціною від 509.43 грн до 1085.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+933.99 грн
5+845.32 грн
10+755.81 грн
50+681.43 грн
100+609.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n20p-datasheet?assetguid=71b0a9b9-292f-4f2e-8710-b0e25a10c9f8 Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.89 грн
30+587.10 грн
120+509.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : IXYS media-3321309.pdf MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1027.56 грн
10+630.24 грн
120+528.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA9869832FD820&compId=IXFH(K)120N20P.pdf?ci_sign=ab9ee0cda8be66ad18abdb1fb39f266891be68ee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1085.32 грн
2+782.72 грн
5+712.33 грн
30+685.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.