Продукція > IXYS > IXFH120N25T
IXFH120N25T

IXFH120N25T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC061820&compId=IXFH120N25T.pdf?ci_sign=794599a89c83b00c82e6901dab3e03a7b4e0dc23 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.39 грн
3+632.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH120N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH120N25T за ціною від 788.53 грн до 1057.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH120N25T IXFH120N25T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC061820&compId=IXFH120N25T.pdf?ci_sign=794599a89c83b00c82e6901dab3e03a7b4e0dc23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.66 грн
3+788.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_120n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1057.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T Виробник : IXYS ixyss05870_1-2272684.pdf MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.