IXFH120N30X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1216.68 грн |
| 2+ | 862.18 грн |
| 3+ | 815.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH120N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFH120N30X3 за ціною від 663.09 грн до 1460.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH120N30X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 5185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFH120N30X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFH120N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 120A Power dissipation: 735W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Technology: HiPerFET™; X3-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFH120N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IXFH120N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IXFH120N30X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS |
товару немає в наявності |



