Продукція > IXYS > IXFH120N30X3

IXFH120N30X3 IXYS


DS100865AIXFTFH120N30X3HV.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1423.57 грн
30+861.64 грн
120+750.18 грн
510+679.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH120N30X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFH120N30X3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 Littelfuse wer-semiconductor-discrete-mosfet-ixfx120n30x3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 Littelfuse wer-semiconductor-discrete-mosfet-ixfx120n30x3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 DS100865AIXFTFH120N30X3HV.pdf N-Channel 300V 120A (Tc) 735W (Tc) Through Hole TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFx120N30X3_Datasheet.pdf MOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 wer-semiconductor-discrete-mosfet-ixfx120n30x3-datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 wer-semiconductor-discrete-mosfet-ixfx120n30x3-datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 DS100865AIXFTFH120N30X3HV.pdf
N-Channel 300V 120A (Tc) 735W (Tc) Through Hole TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFx120N30X3_Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.