IXFH120N30X3 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1291.48 грн |
| 5+ | 1214.34 грн |
| 10+ | 1137.20 грн |
| 50+ | 985.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH120N30X3 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFH120N30X3 за ціною від 683.11 грн до 1562.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH120N30X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 5185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IXFH120N30X3 | Виробник : IXYS |
IXFH120N30X3 THT N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
IXFH120N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXFH120N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXFH120N30X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS |
товару немає в наявності |


