Продукція > IXYS > IXFH12N100
IXFH12N100

IXFH12N100 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH12N100 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3.

Інші пропозиції IXFH12N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH12N100 IXFH12N100 IXYS media-3323205.pdf MOSFETs 1KV 12A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100 IXFH12N100 IXYS SEMICONDUCTOR 123288.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100 IXFH12N100 Ixys Corporation ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100 media-3323205.pdf
IXFH12N100
Виробник: IXYS
MOSFETs 1KV 12A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100 123288.pdf
IXFH12N100
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100 ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n100_datasheet.pdf.pdf
IXFH12N100
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.