IXFH12N100P

IXFH12N100P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.21 грн
300+360.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH12N100P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 436W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH12N100P за ціною від 338.13 грн до 800.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+499.92 грн
300+388.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.83 грн
3+443.71 грн
6+419.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.42 грн
30+411.57 грн
120+349.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : IXYS media-3320275.pdf MOSFETs 12 Amps 1000V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.04 грн
10+664.98 грн
30+426.70 грн
120+365.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+799.70 грн
5+637.12 грн
10+474.54 грн
50+407.69 грн
100+345.20 грн
250+338.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.20 грн
3+552.93 грн
6+503.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.