на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 519.19 грн |
| 300+ | 403.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH12N100P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 436W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH12N100P за ціною від 367.89 грн до 880.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFH12N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH12N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH12N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 12 Amps 1000V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH12N100P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 436W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXFH12N100P | Виробник : IXYS |
IXFH12N100P THT N channel transistors |
на замовлення 265 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IXFH12N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |