Продукція > IXYS > IXFH13N100

IXFH13N100 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh13n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS

на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH13N100 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFH13N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH13N100 IXFH13N100 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh13n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100 IXFH13N100 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH13N100_Datasheet.PDF MOSFETs 13 Amps 1000V 0.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh13n100_datasheet.pdf.pdf
IXFH13N100
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH13N100 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH13N100_Datasheet.PDF
IXFH13N100
Виробник: IXYS
MOSFETs 13 Amps 1000V 0.9 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.