IXFH14N80P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 461.67 грн |
3+ | 307.3 грн |
8+ | 290.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH14N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH14N80P за ціною від 336.3 грн до 556.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH14N80P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH14N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH14N80P | Виробник : IXYS | MOSFET DIODE Id14 BVdass800 |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH14N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |