Продукція > IXYS > IXFH150N30X3

IXFH150N30X3 IXYS


media-3321452.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1385.09 грн
10+1151.37 грн
30+956.60 грн
60+926.64 грн
270+906.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH150N30X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції IXFH150N30X3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH150N30X3 IXFH150N30X3 Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.