Продукція > IXYS > IXFH15N100P
IXFH15N100P

IXFH15N100P IXYS

DS99891AIXFHFV15N100PIXFV15N100PS.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.47 грн
30+514.48 грн
120+440.32 грн
510+395.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH15N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 543W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH15N100P за ціною від 562.12 грн до 1078.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH15N100P IXFH15N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+898.66 грн
2+594.58 грн
5+562.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0CF820&compId=IXFH15N100P.pdf?ci_sign=94fa2e42718d2c8307aa8b264bf50b1dc784944c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.39 грн
2+740.94 грн
5+674.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh15n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH15N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.