Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFH160N15T2

IXFH160N15T2

DS100228AIXFH160N15T2.pdf
Код товару: 126302
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFH160N15T2 за ціною від 169.37 грн до 693.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+588.00 грн
30+443.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS DS100228AIXFH160N15T2.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.62 грн
30+375.55 грн
120+318.46 грн
510+273.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFH160N15T2_Datasheet.PDF MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.29 грн
10+405.18 грн
120+329.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXYS/Littelfuse IXFH160N15T2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+197.61 грн
120+169.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.00 грн
30+443.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 DS100228AIXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.62 грн
30+375.55 грн
120+318.46 грн
510+273.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFH160N15T2_Datasheet.PDF
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+693.29 грн
10+405.18 грн
120+329.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
30+197.61 грн
120+169.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.