IXFH160N15T2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 546.66 грн |
3+ | 346 грн |
7+ | 326.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH160N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 880W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH160N15T2 за ціною від 139.74 грн до 685.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH160N15T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH160N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 160A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 253nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH160N15T2 | Виробник : IXYS | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
на замовлення 30 шт: термін постачання 513-522 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH160N15T2 | Виробник : IXYS/Littelfuse | N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH160N15T2 Код товару: 126302 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
IXFH160N15T2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |