Продукція > IXYS > IXFH160N15T2
IXFH160N15T2

IXFH160N15T2 IXYS

IXFH160N15T2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.29 грн
30+440.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH160N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 880W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH160N15T2 за ціною від 169.37 грн до 688.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 Виробник : IXYS DS100228AIXFH160N15T2.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.46 грн
30+373.18 грн
120+316.46 грн
510+271.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFH160N15T2_Datasheet.PDF MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.92 грн
10+402.63 грн
120+327.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 Виробник : IXYS/Littelfuse IXFH160N15T2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-24
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
30+197.61 грн
120+169.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2
Код товару: 126302
Додати до обраних Обраний товар
DS100228AIXFH160N15T2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.