Продукція > IXYS > IXFH16N120P
IXFH16N120P

IXFH16N120P IXYS


media-3320824.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 1
на замовлення 300 шт:

термін постачання 528-537 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1675.35 грн
10+1455.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH16N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH16N120P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH16N120P IXFH16N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120P IXFH16N120P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120P IXFH16N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-16n120p-datasheet?assetguid=5ef1dddb-f14c-4160-ab55-31e61c37c34b IXFH16N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120P IXFH16N120P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-16n120p-datasheet?assetguid=5ef1dddb-f14c-4160-ab55-31e61c37c34b Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.