IXFH16N50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 389.72 грн |
| 30+ | 297.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH16N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH16N50P за ціною від 189.79 грн до 423.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH16N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET 500V 16A |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 434-443 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH16N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFH16N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFH16N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |