
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 459.55 грн |
10+ | 403.52 грн |
30+ | 228.65 грн |
120+ | 221.85 грн |
510+ | 215.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH16N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH16N50P за ціною від 192.42 грн до 461.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH16N50P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH16N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFH16N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFH16N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFH16N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |