Продукція > LITTELFUSE > IXFH170N10P
IXFH170N10P

IXFH170N10P Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+827.48 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 270 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH170N10P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 714W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IXFH170N10P за ціною від 587.38 грн до 1313.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=229B5923-0F10-4AE1-9D5E-866CB6B5379F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-170N10P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1225.88 грн
30+725.46 грн
60+671.37 грн
120+587.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1230.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_170N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1313.69 грн
10+736.91 грн
120+605.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P IXFH170N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 714W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P media?resourcetype=datasheets&itemid=229B5923-0F10-4AE1-9D5E-866CB6B5379F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-170N10P-Datasheet.PDF
IXFH170N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1225.88 грн
30+725.46 грн
60+671.37 грн
120+587.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P media.pdf
IXFH170N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1230.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_170N10P_Datasheet.PDF
IXFH170N10P
Виробник: IXYS
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1313.69 грн
10+736.91 грн
120+605.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P IXYS-S-A0008598237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH170N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 714W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.