
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
270+ | 642.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH170N10P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH170N10P за ціною від 588.72 грн до 1029.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 715W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFH170N10P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
IXFH170N10P | Виробник : IXYS | IXFH170N10P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |