на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 270+ | 544.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH170N10P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.
Інші пропозиції IXFH170N10P за ціною від 503.29 грн до 811.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH170N10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 715W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH170N10P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IXFH170N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFH170N10P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFH170N10P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFH170N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Power dissipation: 715W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFH170N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFH170N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Power dissipation: 715W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns |
товар відсутній |