IXFH170N25X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
On-state resistance: 7.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1083.46 грн |
| 3+ | 951.18 грн |
| 30+ | 931.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH170N25X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFH170N25X3 за ціною від 821.86 грн до 1532.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFH170N25X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns Reverse recovery time: 140ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 170A On-state resistance: 7.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE |
на замовлення 256 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |