IXFH170N25X3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1440.28 грн |
| 30+ | 875.06 грн |
| 120+ | 793.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH170N25X3 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFH170N25X3 за ціною від 849.77 грн до 1540.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH170N25X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 170A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns |
товару немає в наявності |