Продукція > IXYS > IXFH18N60P
IXFH18N60P

IXFH18N60P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.30 грн
4+282.66 грн
10+266.87 грн
30+260.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH18N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH18N60P за ціною від 200.99 грн до 565.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH18N60P IXFH18N60P Виробник : IXYS 99390.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.18 грн
30+233.37 грн
120+229.26 грн
510+200.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.56 грн
4+352.24 грн
10+320.25 грн
30+312.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH18N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.96 грн
10+340.82 грн
510+275.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh18n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.