IXFH18N60P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.4Ω
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 634.42 грн |
| 3+ | 344.26 грн |
| 8+ | 326.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH18N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH18N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH18N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 18A |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH18N60P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
MOSFETs 600V 18A
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)