Продукція > IXYS > IXFH18N60P
IXFH18N60P

IXFH18N60P IXYS

99390.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.59 грн
30+281.35 грн
120+236.18 грн
510+192.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH18N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH18N60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH18N60P 99390.pdf MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P 99390.pdf
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.