IXFH18N90P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 829.15 грн |
| 30+ | 488.77 грн |
| 120+ | 463.06 грн |
| 510+ | 422.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH18N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH18N90P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH18N90P | IXYS |
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH18N90P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)