Продукція > IXYS > IXFH18N90P
IXFH18N90P

IXFH18N90P IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n90p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+837.73 грн
10+ 741.47 грн
100+ 626.22 грн
500+ 522.78 грн
1000+ 479.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH18N90P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 540W, Gate charge: 97nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 18A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 900V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.6Ω, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFH18N90P за ціною від 534.76 грн до 857.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH18N90P IXFH18N90P Виробник : IXYS media-3321624.pdf MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+857.55 грн
10+ 745.49 грн
30+ 630.23 грн
60+ 594.84 грн
120+ 560.13 грн
270+ 542.1 грн
510+ 534.76 грн
IXFH18N90P IXFH18N90P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n90p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH18N90P IXFH18N90P Виробник : IXYS IXFH(T,V)18N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 540W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH18N90P IXFH18N90P Виробник : IXYS IXFH(T,V)18N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 540W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
товар відсутній