Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFH20N80P (TO-247-3)

IXFH20N80P (TO-247-3)

Код товару: 107942
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFH20N80P (TO-247-3) за ціною від 377.58 грн до 703.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH20N80P IXFH20N80P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.45 грн
30+379.20 грн
120+377.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P IXFH20N80P IXYS IXFH(T,V)20N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 0.52Ω
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+703.60 грн
10+488.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P IXFH20N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf
IXFH20N80P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+659.45 грн
30+379.20 грн
120+377.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P IXFH(T,V)20N80P_S.pdf
IXFH20N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 0.52Ω
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+703.60 грн
10+488.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N80P_Datasheet.PDF
IXFH20N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.