IXFH20N80P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 640.37 грн |
2+ | 405.4 грн |
3+ | 404.71 грн |
6+ | 382.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH20N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH20N80P за ціною від 407.74 грн до 768.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH20N80P | Виробник : IXYS | MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH20N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH20N80P (TO-247-3) Код товару: 107942 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IXFH20N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFH20N80P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFH20N80P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V |
товар відсутній |