Інші пропозиції IXFH20N80P (TO-247-3) за ціною від 374.17 грн до 1144.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH20N80P | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH20N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 500W Gate charge: 86nC |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH20N80P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH20N80P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH20N80P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH20N80P | IXYS |
MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 653.49 грн |
| 30+ | 375.77 грн |
| 120+ | 374.17 грн |
| IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 86nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 86nC
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 697.25 грн |
| 10+ | 478.19 грн |
| IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 885.63 грн |
| IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 888.93 грн |
| 10+ | 829.45 грн |
| IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1144.40 грн |
| 15+ | 1010.77 грн |
| 30+ | 908.90 грн |
| IXFH20N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






