Продукція > IXYS > IXFH20N80Q

IXFH20N80Q IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80q_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH20N80Q IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH20N80Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH20N80Q
Код товару: 129296
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80q_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
IXFH20N80Q IXFH20N80Q Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80q_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N80Q IXFH20N80Q Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80q_datasheet.pdf.pdf MOSFET 800V 20A
товар відсутній