Продукція > IXYS > IXFH21N50F
IXFH21N50F

IXFH21N50F IXYS


DS98884(IXFH-FT21N50F)-1547265.pdf Виробник: IXYS
MOSFET IXFH21N50F F-Class HiPerRF Power MOSFETs
на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+875.59 грн
10+ 781.14 грн
30+ 631.31 грн
60+ 617.32 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH21N50F IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXFH), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH21N50F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH21N50F IXFH21N50F Виробник : Littelfuse ixfh21n50f_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH21N50F IXFH21N50F Виробник : IXYS DS98884(IXFH-FT21N50F).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товар відсутній