IXFH22N50P IXYS
Код товару: 214500
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IXYS
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 270 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2880/50
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFH22N50P за ціною від 268.16 грн до 698.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH22N50P |
Транзистори |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IXFH22N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 350W Gate charge: 50nC Polarisation: unipolar Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω |
на замовлення 329 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFH22N50P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXFH22N50P | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 350W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH22N50P |
![]() |
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 268.16 грн |
| IXFH22N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 350W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 350W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 620.83 грн |
| 3+ | 356.59 грн |
| 8+ | 337.06 грн |
| 30+ | 334.51 грн |
| 60+ | 324.32 грн |
| IXFH22N50P |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 698.48 грн |
| 24+ | 622.67 грн |
| 30+ | 514.67 грн |
| IXFH22N50P |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






