Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXFH22N50P IXYS
IXFH22N50P

IXFH22N50P IXYS

IXFH22N50P.pdf
Код товару: 214500
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IXYS
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 270 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2880/50
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+290.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFH22N50P за ціною від 266.56 грн до 674.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH22N50P IXFH22N50P DS99358G%28IXFH-FV22N50P-S%29.pdf Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+266.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS IXFH22N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 350W
Gate charge: 50nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+573.24 грн
5+441.09 грн
10+392.17 грн
30+325.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh22n50pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+674.45 грн
24+601.24 грн
30+496.96 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH22N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 22A
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P LITTELFUSE 4598143.pdf Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P DS99358G%28IXFH-FV22N50P-S%29.pdf
IXFH22N50P
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P.pdf
IXFH22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 350W
Gate charge: 50nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+573.24 грн
5+441.09 грн
10+392.17 грн
30+325.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh22n50pdatasheet.pdf
IXFH22N50P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+674.45 грн
24+601.24 грн
30+496.96 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH22N50P_Datasheet.PDF
IXFH22N50P
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 22A
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P 4598143.pdf
IXFH22N50P
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.