Інші пропозиції IXFH22N65X2 транзистор за ціною від 225.99 грн до 609.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH22N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 37nC Reverse recovery time: 145ns |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N65X2 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N65X2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V |
на замовлення 5642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH22N65X2 | IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2 |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 145ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 513.42 грн |
| 5+ | 418.71 грн |
| 10+ | 380.57 грн |
| 30+ | 320.87 грн |
| 60+ | 289.36 грн |
| 120+ | 272.78 грн |
| IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 545.18 грн |
| 30+ | 517.46 грн |
| IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 609.85 грн |
| 30+ | 343.21 грн |
| 120+ | 289.53 грн |
| 510+ | 234.81 грн |
| 1020+ | 225.99 грн |
| IXFH22N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






