Продукція > IXYS > IXFH230N10T
IXFH230N10T

IXFH230N10T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.97 грн
3+417.80 грн
6+395.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH230N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 650W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH230N10T за ціною від 391.45 грн до 804.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH230N10T IXFH230N10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F37820&compId=IXFH230N10T.pdf?ci_sign=7906ddc75f59da0a6c8caab968b9ecc6143741fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Power dissipation: 650W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+794.37 грн
3+520.65 грн
6+474.39 грн
120+466.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFH230N10T-Datasheet.PDF?assetguid=8D6653DE-0CEB-4D29-BB26-5DD40921D115 Description: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+804.96 грн
30+460.56 грн
120+391.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh230n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10T IXFH230N10T Виробник : IXYS media-3321834.pdf MOSFETs 230Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.