IXFH230N10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 82ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 82ns
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 447.86 грн |
3+ | 374.14 грн |
6+ | 363.01 грн |
10+ | 349.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH230N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 650W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH230N10T за ціною від 356.15 грн до 625.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH230N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 230A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 82ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH230N10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 650W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFH230N10T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFH230N10T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFH230N10T | Виробник : IXYS | MOSFET 230Amps 100V |
товар відсутній |