Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFH24N50

IXFH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR

Name: IXFH24N50
Brand: IXYS SEMICONDUCTOR
SKU: 3435295-6
Price: 1289.52 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	644.76 грн
5+	631.88 грн
10+	619.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH24N50

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFH24N50	Виробник : IXYS	MODULE	на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50 Код товару: 76962 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : Ixys Corporation	Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH24N50	Виробник : IXYS	MOSFETs 500V 24A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.