Продукція > IXYS > IXFH24N90P
IXFH24N90P

IXFH24N90P IXYS

IXF_24N90P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+814.20 грн
30+728.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH24N90P IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH24N90P за ціною від 798.69 грн до 1388.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-24n90p-datasheet?assetguid=1850cbbc-4a71-4b6c-9e4b-bd580f61e590 Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.78 грн
30+798.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P Ixys Corporation elfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf24n90pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1388.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-24N90P-Datasheet.PDF MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-24n90p-datasheet?assetguid=1850cbbc-4a71-4b6c-9e4b-bd580f61e590
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1327.78 грн
30+798.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P elfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf24n90pdatasheet.pdf
IXFH24N90P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1388.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-24N90P-Datasheet.PDF
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXYS-S-A0008598093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH24N90P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.