Продукція > IXYS > IXFH26N100X
IXFH26N100X

IXFH26N100X IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-26n100x-datasheet?assetguid=dfa4119b-8089-448d-9ee5-2a71897c79bd
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1675.80 грн
30+1022.43 грн
60+952.22 грн
120+838.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH26N100X IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 860W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH26N100X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH26N100X IXFH26N100X IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_26N100X_Datasheet__2_.PDF MOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-26n100x-datasheet?assetguid=dfa4119b-8089-448d-9ee5-2a71897c79bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 26A; 860W; TO247-3; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100X Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_26N100X_Datasheet__2_.PDF
IXFH26N100X
Виробник: IXYS
MOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100X littelfuse-discrete-mosfets-ixf-26n100x-datasheet?assetguid=dfa4119b-8089-448d-9ee5-2a71897c79bd
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 26A; 860W; TO247-3; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.